上海先進半導體制造股份有限公司（03355，以下簡稱“上海先進”）在“在深化拓展國際市場的同時，以建立建設國內戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟為中心，全力以赴開拓國內新市場”的中長期發(fā)展規(guī)劃綱要指導下，充分發(fā)揮在模擬電路、功率器件，特別是IGBT等特殊工藝的制造技術優(yōu)勢。繼與中國中車、深圳比亞迪微電子結成戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)合作聯(lián)盟之后，2月16日，上海先進與國網(wǎng)智能電網(wǎng)研究院（以下簡稱“國網(wǎng)智研院”）在北京成功簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議，積極對接國家戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)，攜手推動定制化高壓IGBT器件的研制，為直流電網(wǎng)電力電子器件的產(chǎn)業(yè)化奠定基礎，為實現(xiàn)堅強智能電網(wǎng)和全球能源互聯(lián)網(wǎng)作出貢獻，在參與國家智能電網(wǎng)建設同時也為企業(yè)開拓國內新市場再添新的增長點。
上海先進是我國改革開放后首家引進國際先進技術的大規(guī)模集成電路制造企業(yè)之一，經(jīng)過二十多年來的引進、消化、吸收國外先進的半導體制造技術，逐漸形成電源管理、功率器件為特色的技術工藝平臺，特別是在汽車電子、IGBT、TVS等特定的領域處于國內領先地位。上海先進從2004年開始制造IGBT晶圓，至今累計為國內外客戶制造IGBT晶圓數(shù)量超過80萬片，具備完整的IGBT制造工藝能力。
隨著國民經(jīng)濟的迅速發(fā)展，能源緊張、資源與消費分布不均衡，環(huán)境污染等問題的也隨著顯現(xiàn)，需要發(fā)展高效、綠色的輸變電技術，如柔直輸電、新能源并網(wǎng)、電力電子裝置等技術。同時針對未來智能電網(wǎng)對電力裝置更大容量、更低損耗、更小的發(fā)熱量要求，需要研發(fā)更高電壓、更大容量、更高結溫的全控型電力電子器件，其核心器件絕緣柵雙極晶體管（IGBT）芯片,目前被國外少數(shù)公司擁有和壟斷。國家電網(wǎng)智能電網(wǎng)研究院為國家電網(wǎng)實現(xiàn)更安全、更經(jīng)濟、更清潔、可持續(xù)的電力供應的基本使命提供技術保障，是國內領先、國際一流的電工裝備研究院，承擔著智能電網(wǎng)用IGBT的研究開發(fā)運用的重任。此次與國家電網(wǎng)簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，是上海先進在聯(lián)合中國和世界最大的新能源汽車制造商“比亞迪”率先實現(xiàn)新能源汽車用IGBT產(chǎn)品市場化、與中國和世界最大的軌道交通設備制造商“中國中車”共同研發(fā)成功完全自主知識產(chǎn)權高壓大電流軌道機車用IGBT后，從國家基礎建設層面對上海先進IGBT晶圓制造工藝技術給予的高度肯定。
國網(wǎng)智研院黨組書記、邱宇峰副院長主持了簽約儀式，國網(wǎng)智研院黨組副書記、滕樂天院長、上海先進陳建明董事長、陸寧董事出席了簽約儀式，電力電子所書記兼副所長潘艷與上海先進主持全面工作的周衛(wèi)平副總裁代表各自單位簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議。
據(jù)悉，上海先進在高壓大電流IGBT晶圓制造領域擁有國內領先的工藝技術，國網(wǎng)智研院在IGBT芯片設計、壓接式封裝、裝置應用方面有著豐富經(jīng)驗，雙方合作將為完善的產(chǎn)業(yè)鏈，有望填補電網(wǎng)用高壓大電流IGBT芯片與模塊產(chǎn)品國產(chǎn)化空白，存在著巨大的市場需求，具有重要的經(jīng)濟性和戰(zhàn)略性意義。
在此之前，上海先進與國網(wǎng)智研院已開始了密切合作，先后啟動了1200V、1700V、3300V、4500V IGBT等項目的研發(fā)，對智能電網(wǎng)用壓接式特殊工藝、聚亞酰胺等關鍵工藝技術進行攻關，特別在2015年3300V IGBT項目取得重要進展，在安全工作區(qū)等動態(tài)性能關鍵指標上取得重要突破。雙方計劃在北京冬奧會“張北示范工程”項目中首次應用具有完全自主知識產(chǎn)權的智能電網(wǎng)用3300V IGBT。
上海先進與國網(wǎng)智研院通過簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議的簽署，是雙方加強合作的重要里程碑，將推動雙方合作邁上新的臺階，將原有的友好合作更密切、更有效、更具體地進一步推進。在戰(zhàn)略合作協(xié)議的指引下，雙方將逐步整合完善產(chǎn)業(yè)鏈，深化各環(huán)節(jié)的研發(fā)，落實技術瓶頸的突破，加快實際產(chǎn)品的產(chǎn)出時間，從而在市場中爭取有利地位。雙方充分利用各自的優(yōu)勢，將具有自主知識產(chǎn)權的IGBT核心關鍵技術和半導體芯片制造技術進行“強強聯(lián)合”，共同推進IGBT設計與芯片制造進程，突破國外的技術壟斷，加速實現(xiàn)智能電網(wǎng)用IGBT芯片國產(chǎn)化進程。
