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日企放豪言:濺射技術(shù)將徹底改變鈣鈦礦電池業(yè)

中國(guó)電力網(wǎng)發(fā)布時(shí)間:2023-04-26 17:49:32

作為對(duì)抗全球變暖擔(dān)憂(yōu)的一部分,不依賴(lài)化石燃料的能源成為此次會(huì)議的主要話(huà)題。此外,人們對(duì)太陽(yáng)能電池也有很高期待。

引起特別關(guān)注的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池(PSC)在市場(chǎng)上需求特別高,成為新一代太陽(yáng)電池。

鈣鈦礦是電池中非常精細(xì)的有機(jī)層組成的結(jié)構(gòu),而使用干燥濺射法的傳統(tǒng)技術(shù)在沉積時(shí)會(huì)損壞透明導(dǎo)電氧化物(TCO)薄膜,導(dǎo)致有機(jī)層降解,從而無(wú)法實(shí)現(xiàn)所需的設(shè)備性能。對(duì)于透明導(dǎo)電氧化物來(lái)說(shuō),很難利用濺射沉積法。

近日,來(lái)自日本的京浜樂(lè)夢(mèng)株式會(huì)社(KEIHIN RAMTECH)宣布成功開(kāi)發(fā)了在四面相向?yàn)R射法中實(shí)現(xiàn)高品質(zhì)成膜的RAM陰極產(chǎn)品。

據(jù)介紹,RAM FORCE濺射的優(yōu)點(diǎn),改進(jìn)了鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的濺射沉積特性。

KEIHIN RAMTECH表示,RAM FORCE結(jié)構(gòu)獨(dú)特,通過(guò)四面對(duì)向靶材和磁場(chǎng)布置實(shí)現(xiàn)了低損傷沉積,在PSC上進(jìn)行TCO沉積,與平面濺射設(shè)備相比,作為損傷指標(biāo)的載體壽命提高了約30%。因此利用其低損傷性實(shí)現(xiàn)了低損傷沉積。

通過(guò)利用低損傷的濺射特性,PSC代表電池特性的曲線(xiàn)因子——填充因子(FF)達(dá)到75%以上。它已經(jīng)開(kāi)始用于研發(fā)應(yīng)用和試點(diǎn)線(xiàn)路。

此外,RAM FORCE支持低于60℃(ITO: 100 nm)的低溫沉積,因此適用于柔性基材上的濺射沉積。

RAMTECH還專(zhuān)注于其他應(yīng)用,如對(duì)于PSC的空穴輸運(yùn)層(HTL),可以使用NiOx層代替目前使用的Spiro-OmetaD等有機(jī)層,實(shí)現(xiàn)低損傷濺射沉積和低電阻。

另外,通過(guò)改變沉積工藝條件,NiOx也可以作為電子傳遞層(ETL)沉積,使使用相同的材料實(shí)現(xiàn)HTL和ETL沉積成為可能,從而提高性能,降低成本。


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